半導體(tǐ)的生産(chǎn)需要經過8個主要工(gōng)序。超純水主要用(yòng)于半導體(tǐ)制造中(zhōng)某些工(gōng)序前後的清洗。例如，在蝕刻工(gōng)藝之後，切割晶圓并用(yòng)超純水清洗殘餘碎片。或者，在離子注入過程之後，清潔殘餘離子。此外，超純水還可(kě)用(yòng)于晶圓抛光或晶圓切割。
超純水是一種用(yòng)于半導體(tǐ)制造過程中(zhōng)的洗滌劑。那麽，在半導體(tǐ)生産(chǎn)中(zhōng)使用(yòng)超純水會有(yǒu)什麽影響呢(ne)?在用(yòng)納米超精(jīng)細工(gōng)藝處理(lǐ)半導體(tǐ)時，如果在各種工(gōng)藝前後留下一個小(xiǎo)顆粒，則會導緻誤差。因此，在各種工(gōng)藝前後用(yòng)超純水清洗晶圓可(kě)以确保清潔度并提高半導體(tǐ)生産(chǎn)率(輸出)。
随着半導體(tǐ)工(gōng)業的不斷發展，對清潔水的電(diàn)導率、離子含量、TOC、do和顆粒物(wù)的要求越來越嚴格。由于超純水在許多(duō)指标上對半導體(tǐ)的要求很(hěn)高，因此半導體(tǐ)行業的超純水與其他(tā)行業的用(yòng)水要求不同。半導體(tǐ)行業對超純水有(yǒu)極其嚴格的水質(zhì)要求。目前，我國(guó)常用(yòng)的超純水标準有(yǒu)國(guó)家标準《電(diàn)子級水》(GB/T 11446.1-2013)和美标。
在半導體(tǐ)生産(chǎn)過程中(zhōng)，硼是一種p型雜質(zhì)。過量會使n型矽反轉，從而影響電(diàn)子和空穴的濃度。因此，在超純水工(gōng)業中(zhōng)應充分(fēn)考慮硼的去除。硼離美标中(zhōng)e1.3中(zhōng)要求小(xiǎo)于0.05。如果硼離子含量能(néng)夠達到較低的指标，則必然會提高半導體(tǐ)的性能(néng)。
Huncotte系統選用(yòng)核級樹脂，可(kě)通過獨特的靶向離子交換樹脂有(yǒu)效控制系統出水的硼離子含量。采用(yòng)IPC-MS檢測硼離子含量，并對硼離子流出物(wù)進行分(fēn)析≤ 0.005μG/L遠(yuǎn)低于美标E1.3中(zhōng)要求的硼離子含量。
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